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新教科書シリーズ 
薄膜材料入門
Introduction to Thin Film Materials

在庫マーク

元 日本材料科学会出版委員会委員  伊藤昭夫 編著

A5判/316頁/定価4730円(本体4300円+税10%)/1998年10月20日発行
ISBN 978-4-7853-6105-1 (旧ISBN 4-7853-6105-0)  C3058

 “先端材料”として今後の薄膜を考える立場で、薄膜材料と材料製造技術としての製膜技術を取り上げ、これらの現状および将来の展望についてわかりやすく説明し、この分野にあまり関わりがなかった人たちも興味を持てるよう心がけた。
 (→ 執筆者一覧


目次 (章タイトル)  → 詳細目次

序章
1.材料としての薄膜
2.材料開発ならびに材料作製技術としての薄膜技術
3.表面改質膜材料
4.機能膜材料
5.金属薄膜材料
6.無機・セラミック薄膜材料
7.有機・ポリマー薄膜材料
8.半導体薄膜材料
9.薄膜材料のキャラクタリゼーション
10.薄膜材料の物性測定

詳細目次

まえがき

序章
 0.1 はじめに
 0.2 新材料の開発
 0.3 材料科学と材料設計とキャラクタリゼーション
  0.3.1 材料設計
  0.3.2 材料設計とキャラクタリゼーション

1.材料としての薄膜
 1.1 電気・電子機器システムおよび部品・材料の小型化
 1.2 機能材料および材料特性が高度に優れている材料の創製
 1.3 材料の研究開発,製造手法の検討

2.材料開発ならびに材料作製技術としての薄膜技術
 2.1 薄膜作製法
  2.1.1 湿式成膜法
  2.1.2 乾式成膜法
  2.1.3 真空蒸着法
  2.1.4 スパッタリング法
  2.1.5 イオンプレーティング法
 2.2 PVD法薄膜作成技術の材料開発手法への応用
  2.2.1 非平衡相材料の作成
  2.2.2 化合物薄膜材料の作成

3.表面改質膜材料
 3.1 はじめに
 3.2 材料機能
  3.2.1 デバイス機能と材料機能
  3.2.2 材料機能と構造材料
 3.3 構造材料の機能化……表面改質
 3.4 表面改質の手法
  3.4.1 表面改質のための表面処理
  3.4.2 薄膜の堆積による表面改質
 3.5 応用
  3.5.1 一般
  3.5.2 真空材料用表面改質膜
  3.5.3 有機材料の表面改質

4.機能膜材料
 4.1 はじめに
 4.2 エネルギー関連機器材料
  4.2.1 光電変換膜材料
  4.2.2 光熱変換材料
  4.2.3 熱電変換材料
  4.2.4 熱電子放射材料
  4.2.5 固体電解質
  4.2.6 超伝導
 4.3 情報機能材料
  4.3.1 記録材料
 4.4 センサー材料
  4.4.1 センサー一般
  4.4.2 工業用センサー
  4.4.3 医療センサー
  4.4.4 バイオセンサー
  4.4.5 センサーとアメニティー材料

5.金属薄膜材料
 5.1 はじめに
 5.2 機構膜材料としての金属薄膜
  5.2.1 硬質膜
  5.2.2 潤滑薄膜
 5.3 機能膜材料としての金属薄膜
  5.3.1 光学膜材料
  5.3.2 電気・電子−素子・部品・材料
  5.3.3 情報材料
  5.3.4 生体機能材料
  5.3.5 化学機能材料
  5.3.6 エネルギー機能材料

6.無機・セラミック薄膜材料
 6.1 セラミックスについて
 6.2 セラミックス薄膜の形成法
  6.2.1 反応性蒸着
  6.2.2 反応性イオンプレーティング
  6.2.3 スパッタリング
  6.2.4 CVD
 6.3 セラミックス薄膜の特性
  6.3.1 機構膜材料
  6.3.2 機能膜材料

7.有機・ポリマー薄膜材料
 7.1 はじめに
 7.2 有機・ポリマー薄膜の作製方法
  7.2.1 湿式法
  7.2.2 乾式法による有機ポリマー薄膜形成技術
 7.3 有機・ポリマー薄膜材料
  7.3.1 誘電体材料
  7.3.2 光導電性材料
  7.3.3 発光材料
  7.3.4 圧電・焦電性機能材料
  7.3.5 感光機能材料
  7.3.6 潤滑機能材料
  7.3.7 分離機能(選択透過機能)材料

8.半導体薄膜材料
 8.1 半導体材料と薄膜
  8.1.1 半導体とは
  8.1.2 半導体の種類と性質
  8.1.3 半導体薄膜
  8.1.4 半導体接合と超格子
 8.2 半導体機能膜材料
  8.2.1 光学機能材料
  8.2.2 電子機能材料
  8.2.3 オプトエレクトロニクス機能材料
  8.2.4 エネルギー変換機能材料
  8.2.5 センサー機能材料
  8.2.6 化学機能材料
 8.3 ワイドギャップ半導体薄膜:ハードエレクトロニクスへの応用
  8.3.1 ハードエレクトロニクスにはどのような半導体材料が適しているか
  8.3.2 炭化ケイ素(SiC)
  8.3.3 ダイヤモンド
  8.3.4 III-V族窒化物

9.薄膜材料のキャラクタリゼーション
 9.1 バルクと薄膜の違い
 9.2 何のために・何を・いつ評価するのか
  9.2.1 「何のために」評価するのか?
  9.2.2 「何を」評価するのか?
 9.3 各種測定方法とその選択
  9.3.1 測定子に何を使うか
  9.3.2 試料の何を測定するのか
  9.3.3 出力とその表示
  9.3.4 装置の複合化
  9.3.5 「いつ」測定するか
  9.3.6 関連要素技術
 9.4 実際の評価例
  9.4.1 TiN膜の測定
  9.4.2 磁性多層膜の測定
 9.5 分析専門家と材料専門家

10.薄膜材料の物性測定

索引

執筆者一覧(肩書は執筆当時,[ ]は担当章)

伊藤昭夫 (元 日本材料科学会 編集委員) [第1章〜第4章]
本間禎一 (千葉工業大学教授) [第5章]
稲川幸之助 (日本真空技術(株)) [第6章]
高橋善和 (日本真空技術(株)) [第7章]
吉田貞史 (埼玉大学教授) [第8章]
塚原園子 (日本真空技術(株)) [第9章,第10章]

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